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k2426场效应管参数

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  • K2426是一个N沟道MOSFET(场效应晶体管)型号,主要参数包括:

    1. 额定电流(ID):指允许通过沟道的最大电流,一般以安培(A)为单位。

    2. 额定电压(VDSS):指沟道和源极之间的最大允许电压,一般以伏特(V)为单位。

    3. 阈值电压(VGS(th)):指沟道上的门极电压达到一定值时开始导通的电压,一般以伏特(V)为单位。

    4. 导通电阻(RDS(on)):指在工作状态下沟道状态的电阻,一般以欧姆(Ω)为单位。

    5. 最大功率(Pd):指器件允许的最大耗电功率,一般以瓦特(W)为单位。

    6. 瞬态热阻(Rth(ja)):指器件在瞬态工作状态下从结温到环境温度的热阻,一般以℃/瓦特(°C/W)为单位。请注意,不同厂家生产的同一型号的场效应管可能会有微小的参数差异,请在使用之前查阅相关的规格书或者产品手册。

    2023-10-24 13:28:20
  • 种类

    绝缘栅(MOSFET)

    沟道类型

    N沟道

    导电方式

    增强型

    用途

    SW-REG/开关电源

    封装外形

    CER-DIP/陶瓷直插

    材料

    SENSEFET电流敏感

    开启电压

    200(V)

    夹断电压

    100(V)

    跨导

    584(μS)

    2023-10-24 13:28:20
  • K2426场效应管是一种N沟道MOSFET型晶体管,其主要参数包括漏极电流、漏极-源极电压、栅极-源极电压、栅极静态电容等。

    漏极电流是指在给定的漏极-源极电压下,从漏极流出的电流。

    漏极-源极电压是指在给定的栅极-源极电压下,漏极和源极之间的电压。

    栅极-源极电压是指在给定的漏极-源极电压下,栅极和源极之间的电压。

    栅极静态电容是指在静态条件下,栅极和源极之间的电容。这些参数对于K2426场效应管的性能和应用具有重要的影响。

    2023-10-24 13:28:20
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