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显卡mos管烧坏原因

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  • MOS管损坏主要原因:

    过流:持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;

    过压:源漏过压击穿、源栅极过压击穿;

    静电:静电击穿,CMOS电路都怕静电。

    第一种:雪崩破坏,如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

    第二种:器件发热损坏,由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

    第三种:内置二极管破坏,在DS端间构成的寄生二极管运行时,由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行,导致此二极管破坏的模式。

    第四种:由寄生振荡导致的破坏,此破坏方式在并联时尤其容易发生。在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时,在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。

    第五种:栅极电涌、静电破坏,主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏,即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。

    2023-10-24 19:31:46
  • 显卡mos管烧坏的原因如下:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

    2023-10-24 19:31:46
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