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内存时序四个参数

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  • 内存四个时序分别是CL、tRCD、tRP、tRAS。

    内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,这四个代号全是缩写。

    第一个CL即CAS Latency,它描述的是内存列地址访问的延迟时间,这也是时序中最重要的参数;

    第二个tRCD,即RAS to CAS Delay,是指内存行地址传输到列地址的延迟时间;

    第三个tRP,即RAS Precharge Time,表示内存行地址选通脉冲预充电时间;

    第四个tRAS,即RAS Active Time,描述的是行地址激活的时间。

    2023-10-24 20:26:51
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