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60t03gh场效应管资料

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  • 产品型号:AP60T03GH

    封装:SOT-252/DPAK

    源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

    夹断电压VGS(V):±20

    最大漏极电流Id(A):45

    源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V

    开启电压VGS(TH)(V):3

    功率PD(W):44

    极间电容Ciss(PF):1135

    通道极性:N沟道

    低频跨导gFS(s):25

    单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

    温度(℃): -55 ~175

    描述:30V,45A N-channel MOSFET

    2023-10-25 05:54:17
  • 产品型号:AP60T03GH

    封装:SOT-252/DPAK

    源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

    夹断电压VGS(V):±20

    最大漏极电流Id(A):45

    源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V

    开启电压VGS(TH)(V):3

    功率PD(W):44

    极间电容Ciss(PF):1135

    通道极性:N沟道

    低频跨导gFS(s):25

    单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

    温度(℃): -55 ~175

    描述:30V,45A N-channel MOSFET

    2023-10-25 05:54:17
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