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az1500光刻胶工艺参数

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  • 厚。

    AZ光刻胶特点:

    适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)

    适用于正/负图形

    很宽的膜厚范围

    AZ光刻胶工艺条件:

    前烘:

    1、00℃ 60秒 (DHP)

    曝光:

    1、线步进式曝光机/接触式曝光机

    反转烘烤:

    1、10~125℃ 90秒(DHP):去离子水30秒

    全面曝光:310~405nm(在曝光光源下全面照射)

    显影:AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle

    AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping

    AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping

    清洗:去离子水30秒

    后烘:

    1、20℃ 120秒(DHP)

    剥离:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

    AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率;高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进;广泛应用于全球半导体行业。

    光刻胶产品型号及参数

    光刻胶名称

    型号

    匀胶厚度

    Merck AZ 正/负可转换型光刻胶

    AZ 5214

    0.5-6um

    AZ 50XT 正胶

    AZ 50XT

    40-80um

    AZ 9260 正胶

    AZ 9260

    6.2-15um

    AZ 4620 光刻胶

    AZ 4620

    10-15um

    MicroChem SU-8 负胶

    SU-8 2015

    13-38um

    MicroChem SU-8 负胶

    SU-8 2050

    40-170um

    MicroChem SU-8 负胶

    SU-8 2075

    60-240um

    MicroChem SU-8 负胶

    SU-8 2150

    190-650um

    MicroChem SU-8 负胶

    SU-8 3010

    8-15um

    MicroChem SU-8 负胶

    SU-8 3050

    44-100um

    AZ光刻胶其他参数及说明:

    2023-10-23 14:39:59
  • az1500光刻胶的工艺参数包括曝光时间、曝光能量、显影时间和显影液浓度等。其中,曝光时间和曝光能量需要根据具体的曝光设备和光刻胶厚度来确定,一般需要进行实验优化;显影时间和显影液浓度则需要根据样品的要求和光刻胶的特性来选择。在进行的选择时,需要综合考虑样品的要求、设备的性能和光刻胶的特性,进行实验优化以得到最佳的工艺参数。

    2023-10-23 14:39:59
  • 关于这个问题,以下是az1500光刻胶的一些常用工艺参数:

    1. 光刻胶厚度:通常为0.5-2μm。

    2. 烘烤温度和时间:在烘烤前应首先进行预热,常见预热温度为90℃,时间为5-10分钟。然后进行主烘烤,常见温度为115-120℃,时间为30-60秒。

    3. 硬化剂比例:常用的硬化剂为MEHQ(甲醛己醇),通常添加量为1-2%。

    4. 紫外光曝光时间和能量:曝光时间和能量与光刻胶的厚度和型号有关,一般需要根据实际情况进行调整。常见的紫外光曝光能量为100-200mJ/cm²,曝光时间为5-30秒。

    5. 显影液:常用的显影液为1:4的2-丙酮和异丙醇混合物。显影时间一般为30秒至1分钟,根据光刻胶厚度和型号进行调整。

    6. 清洗:清洗时通常使用去离子水或甲醇进行清洗。

    2023-10-23 14:39:59
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