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什么条件下晶体以平面方式生长

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  • 晶体生长方式和速率与界面结构是密切相关的,按界面结构不同可将晶体生长方式分为

    1、完整光滑面的生长(二维晶核生长)

    2、非完整光滑面的生长--(1)借螺位错长大、(2)孪晶生长的机制

    3、粗糙界面的生长冷却度对晶体长大方式和速度的影响如下: 1.冷却速度越快,材料相应的增加,材料的结晶形核过程会有相应的时间滞后性,就会造成过冷度增加。 2.随着冷却速度的增大,则晶体内形核率和长大速度都加快,加速结晶过程的进行;

    2023-10-23 11:04:54
  • ①平面方式长大:固液界面前方的液体正温度梯度分布,固液界面前方的过

    冷区域及过冷度极小,晶体生长时凝固潜热析出的方向与晶体的生长方向相反。

    ②树枝晶方式生长:固液界面前方的液体负温度梯度分布,固液界面前方的

    过冷区域较大,且距离固液界面越远过冷度越大,晶体生长时凝固潜热析出的方

    向与晶体生长的方向相同。

    2023-10-23 11:04:54
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