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氮化炉是用氮气还是氨气

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  • 氮化炉是在半导体材料和器件制造中常用的设备,用于氮化材料的生长和热处理。氮化炉通常是使用氨气(NH3)作为氮源来实现氮化过程。

    在氮化炉中,氨气被引入到高温反应室中,与衬底表面的材料发生反应,形成氮化物薄膜。氮化炉中的高温条件(通常在800°C至1200°C之间)能够促使氨气和表面材料之间的化学反应发生。这些反应会导致氮化物的形成,如氮化硅(Si3N4)或氮化铝(AlN),用于制备特定的半导体材料。

    需要注意的是,氮化炉使用氨气作为氮源的同时,还会有其他气体(如惰性气体)用于调节反应室的气氛和压力条件。这些气体的使用取决于具体的氮化工艺和材料需要。

    总结起来,氮化炉通常使用氨气作为氮源,以实现在高温下生长和处理氮化材料的过程。

    2023-10-23 20:42:39
  • 气体氮化技术:利NH3气直接输进500~550℃的氮化炉内,保持20~100小时,使NH3气分解为原子状态的(N)气与(H)气而进行渗氮处理,在使钢的表面产生耐磨、耐腐蚀之化合物层为主要目的

    2023-10-23 20:42:39
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