74HC164、74HCT164 是高速硅门 CMOS 器件,与低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。74HC164、74HCT164 是 8 位边沿触发式移位寄存器,串行输入数据,然后并行输出。数据通过两个输入端(DSA 或 DSB)之一串行输入;任一输入端可以用作高电平使能端,控制另一输入端的数据输入。两个输入端或者连接在一起,或者把不用的输入端接高电平,一定不要悬空。
74HC164、74HCT164 是高速硅门 CMOS 器件,与低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。74HC164、74HCT164 是 8 位边沿触发式移位寄存器,串行输入数据,然后并行输出。数据通过两个输入端(DSA 或 DSB)之一串行输入;任一输入端可以用作高电平使能端,控制另一输入端的数据输入。两个输入端或者连接在一起,或者把不用的输入端接高电平,一定不要悬空。
8 位串入、并出移位寄存器
时钟 (CP) 每次由低变高时,数据右移一位,输入到 Q0, Q0 是两个数据输入端(DSA 和 DSB)的逻辑与,它将上升时钟沿之前保持一个建立时间的长度。
主复位 (MR) 输入端上的一个低电平将使其它所有输入端都无效,同时非同步地清除寄存器,强制所有的输出为低电平。
门控串行数据输入 异步中央复位 符合 JEDEC 标准 no. 7A 静电放电 (ESD) 保护:
·HBM EIA/JESD22-A114-B 超过 2000 V
·MM EIA/JESD22-A115-A 超过 200 V 。 多种封装形式 额定从 -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C 。
74HC164 :下限温度 -40度 上限温度85度
54HC164: 下限温度 -55度 上限温度125度
直流电压 VDD:l-0.5V——7V
输入钳位电流 :-20MA—20MA
输出钳位电流 :-20MA—20MA
连续输出电流:-25MA—25MA
通过VCC 或GND的电流:-50MA—50MA
引脚焊接温度:+265度void send164( uint8_t udata ){ uint8_t i; for( i = 0; i < 8; i ++ ){ if( udata & 0x80 ){ DAT=1; CLK=0; CLK=1; }else{ DAT=0; CLK=0; CLK=1; } udata = udata<<1; }}DIP14、SO14、SSOP14 和 TSSOP14 封装的引脚配置
符号 | 引脚 | 说明 |
DSA | 1 | 数据输入 |
DSB | 2 | 数据输入 |
Q0~Q3 | 3~6 | 输出 |
GND | 7 | 地 (0 V) |
CP | 8 | 时钟输入(低电平到高电平边沿触发) |
/M/R | 9 | 中央复位输入(低电平有效) |
Q4~Q7 | 10~13 | 输出 |
VCC | 14 | 正电源 |
工作模式 | 输入 | 输出 | |||
/M/R | CP | DSA | DSB | Q0 | Q1 至 Q7 |
复位(清除) | L | L | X | X | L:L至L |
移位 | H | ↑ | l | l | L:qo至q6 |
H | ↑ | l | h | L | q0 至 q6 |
H | ↑ | h | l | L | q0 至 q6 |
H | ↑ | h | h | H | q0 至 q6 |
H = HIGH(高)电平
h = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 (set-up time) 的 HIGH(高)电平
L = LOW(低)电平
l = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 (set-up time) 的 LOW(低)电平
q = 小写字母代表先于低-至-高时钟跃变一个建立时间的参考输入 (referenced input) 的状态
↑ = 低-至-高时钟跃变
符合绝对最大额定值体系 (IEC 60134) 的规定。电压参考点为 GND(地 = 0 V)。
对于 DIP14 封装:Ptot 在超过 70 °C 时以 12 mW/K 的速度线性降低。
对于 SO14 封装:Ptot 在超过 70 °C 时以 8 mW/K 的速度线性降低。
对于 SSOP14 和 TSSOP14 封装:Ptot 在超过 60 °C 时以 5.5 mW/K 的速度线性降低。
对于 DHVQFN14 封装:Ptot 在超过 60 °C 时以 4.5 mW/K 的速度线性降低。