基区输运系数表征了从发射结发射的多子电流传输到集电结的效率大小。
双极型晶体管基区输运系数表征了从发射结发射的多子电流传输到集电结的效率大小。
以NPN管为例，基区输运系数为集电区电子电流与发射区电子电流之比，表达式为
β0*=Inc/Ine
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补充说明：
对于BJT，共基极直流短路电流放大系数就等于发射结注射效率与基区输运系数的乘积。所以基区输运系数直接关系到晶体管的放大性能。
基区输运系数表示了少数载流子在渡越基区过程中因复合而损失的载流子的份量；基区输运系数越大即损失越小，不损失时的基区输运系数最大，等于1。基区输运系数与基区宽度直接有关，基区宽度越小，基区输运系数就越大。对于小尺寸、极薄基区的晶体管，往往可以认为基区输运系数=1，这时晶体管的放大系数就简单地等于发射极注射效率。
基区输运系数也与半导体基区表面上的杂质和缺陷有很大关系。因为这将形成大量的复合中心，大大增强表面复合，从而将降低基区输运系数。所以晶体管的表面处理与钝化工艺很是重要。
