可以简单看作是个单探针电阻仪测得的电阻，一般是定义Ldd附近的电阻，电流扩散到一个更大面积时候的电阻。
详细解释
针尖与半导体接触，通电时针尖周围形成球形电场，通过测量电流，电压计算出电阻R=v／I―P／4a，式中，R便是扩展电阻。测出扩展电阻就可得到该样品的电阻率，其换算需要考虑很多因素，如形状，压力大小，厚度等。
可以简单看作是个单探针电阻仪测得的电阻，一般是定义Ldd附近的电阻，电流扩散到一个更大面积时候的电阻。
详细解释
针尖与半导体接触，通电时针尖周围形成球形电场，通过测量电流，电压计算出电阻R=v／I―P／4a，式中，R便是扩展电阻。测出扩展电阻就可得到该样品的电阻率，其换算需要考虑很多因素，如形状，压力大小，厚度等。
